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基于Silvaco TCAD的二极管器件仿真:从网格划分到I-V特性分析

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张小明

前端开发工程师

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基于Silvaco TCAD的二极管器件仿真:从网格划分到I-V特性分析

基于Silvaco TCAD的二极管器件仿真:从网格划分到I-V特性分析

摘要

二极管作为半导体器件中最基础、最经典的结构,其特性仿真对于理解半导体物理和掌握TCAD工具具有重要意义。本文以Silvaco TCAD软件中的ATLAS器件仿真器为核心工具,系统地阐述了二极管仿真从理论准备到完整实施的各个技术环节。文章首先介绍了二极管的基本工作原理和Atlas数值求解器的底层逻辑,然后从网格划分、区域定义、电极设置、掺杂配置、物理模型选择到求解收敛性控制,逐步展示了完整仿真流程的实现细节。本文提供了完整的、可直接运行的PN结二极管仿真代码,并对每一行语句进行了逐行解析,说明其物理含义和参数设置考量。在此基础上,通过对不同P区掺杂浓度、不同N区掺杂浓度条件下的仿真结果进行对比分析,深入探讨了结构参数变化对二极管正向导通特性、反向击穿电压等关键电学指标的影响机制。最后,本文还涵盖了反向恢复特性仿真、击穿特性分析以及网格收敛性测试等内容,为微电子专业的读者提供了一套系统、完整的Silvaco二极管仿真学习资料。

关键词:Silvaco TCAD;ATLAS;二极管;器件仿真;PN结;I-V特性

1 引言

随着半导体工艺不断向更小尺寸、更高集成度方向发展,仅依靠流片实验来验证器件设计的方法已难以满足研发效率和成本控制的要求。TCAD(Technology Computer Aided Design,计算机辅助设计技术)仿真作为连接器件物理与工艺实现的关键桥梁,在半导体器件设计和优化中发挥着不可替代的作用。Silvaco TCAD作为业界

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