news 2026/6/15 22:57:51

Hi9103:150V耐压内置2.5A MOS,恒压恒流降压芯片

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张小明

前端开发工程师

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文章封面图
Hi9103:150V耐压内置2.5A MOS,恒压恒流降压芯片

一、产品背景

在84V电动车、110V工业母线、太阳能板串联等高压应用场景中,普通降压芯片耐压不足(常见60V或100V),往往需要外置高压MOS或采用两级变换,导致电路复杂、成本增加。Hi9103是Hi910X系列中耐压最高且内置大电流MOS的型号,采用ESOP8封装,输入电压高达150V,内置功率MOS可输出2.5A电流,同时支持恒压恒流和线损补偿,非常适合超高输入电压、中等功率(10-30W)的降压应用。

二、硬件兼容性

Hi9103采用ESOP8封装,底部有散热盘(EP)。引脚定义为:1脚和EP为Drain(内置MOS漏极),2脚VDD(供电输入),4脚FB(输出电压采样),5脚GND,8脚CS(电流检测),3、6、7脚为NC(悬空)。该引脚排列与Hi9101、Hi9102完全相同,可直接替换同系列其他型号(注意耐压和电流差异)。但与常见ESOP8降压芯片(如MP1584、TPS5430等)不同,不能直接替换,建议按典型应用电路重新设计。

三、性能优势

第一,150V超高输入耐压。支持8V至150V输入(极限耐压150V),可直接用于84V电动车电池(充满约94.5V)、110V工业直流母线(实际90-130V)、三块36V太阳能板串联(开路约108V),无需额外钳位电路。

第二,内置功率MOS,输出能力2.5A。芯片内部集成了耐压150V的NMOS,最大输出电流2.5A(持续输出建议根据散热条件调整,典型可靠值1.5-2A)。相比Hi9103B(1.5A峰值),Hi9103的电流能力大幅提升,可满足更高功率需求(如12V/2A、5V/2.5A)。

第三,恒压恒流双模式,精度高。输出电压通过FB分压电阻设置,基准电压VFB典型值1.16V(范围1.125-1.195V),恒压精度≤±3%。输出电流通过CS对地检流电阻设置,基准电压VREF典型值200mV(范围190-210mV),过流点精度≤±5%。恒压恒流功能适配电池充电和LED恒流驱动。

第四,可设置线损补偿。内部5μA下拉电流可主动提高输出电压以补偿长线压降(如充电线缆产生的压降),方便充电器方案开发。

第五,高效率与轻载降频。固定开关频率150kHz,轻载时自动降频以减少开关损耗,满载效率>96%。采用PWM峰值电流模式,响应快,线性调整率和负载调整率优异。

第六,完善保护:软启动、逐周期限流(限流电压400mV)、输出短路自动恢复、过温保护(142℃关断)。

第七,低待机功耗与内置LDO。启动电流仅10μA,工作电流典型1mA。内部集成40V LDO,VDD电压范围6.5-24V,只需启动电阻从输入取电。

四、关键参数

(测试条件:TA=25℃)VDD电压范围6.5-24V,启动电压6.2V,欠压保护3.5V。VFB基准1.16V(1.125-1.195V),VREF基准200mV(190-210mV),VCS限流电压400mV。开关频率150kHz,最大占空比90%。过温保护142℃。极限参数:VDD耐压40V,Drain耐压150V,工作温度-40~125℃。输出电流能力≤2.5A(选型表标注)。

五、使用注意事项

输入电压不超过150V,建议加TVS管钳位(如SMBJ150A)。启动电阻R1典型100kΩ(选用1206封装以耐高压),VDD电容≥10μF并紧靠芯片。输出电压高于24V时,自举供电(R2、D2)需增大R2阻值或加稳压管,防止VDD超压。

电流采样电阻Rcs=0.2V/Iout_max。例如需要2A输出,Rcs=100mΩ;需要2.5A输出,Rcs=80mΩ。选用1%精度合金电阻,功率满足I²R(2.5A/80mΩ功耗0.5W,选用1W)。PCB必须采用开尔文连接:CS和GND引脚分别从电阻两端单独引线,且Rcs的GND、芯片GND、VDD电容GND单点连接。

电感典型值33-100μH,高压差时需增大至100-220μH。按公式 L=(Vin-Vout)Vout10^6/(rIoutf*Vin) 计算(r取0.3-0.4)。电感饱和电流大于峰值电流 Ipk=Iout×(1+r/2)。续流二极管选肖特基,反向耐压>Vin_max(建议200V,如SS220),平均电流 Id=Iout×(1-Vout/Vin)。输出电容建议100-470μF(电解并联陶瓷),可并联假负载(1k-5kΩ)改善轻载稳定性。

PCB布局(数据手册第12节):功率环路最小化(输入电容→芯片Drain→内部MOS→GND→续流二极管→电感→输出电容→地);FB分压电阻紧靠芯片,远离功率电感;输入输出电容靠近芯片;VDD电容、芯片GND、Rcs的GND单点连接。ESOP8底部散热盘必须焊接到大面积铜箔并加过孔散热,2A输出时功耗可达1-2W,需良好散热。线损补偿不需要时,分压电阻总阻值控制在20kΩ以下。

六、详细应用场景

84V电动车车充:输入94.5V,输出5V/2.5A(USB快充)或12V/2A,恒流限压保护,线损补偿抵消长线压降。2.5A能力可同时给多台设备充电。

110V工业母线降压:输入90-130V,输出12V/2A给继电器、风扇供电,或5V/2A给MCU、传感器。非隔离成本低,代替昂贵的模块电源。

卡车车充:输入24V(含抛负载至100V以上),150V耐压安全可靠,输出5V/2.5A供行车记录仪、GPS、手机快充。

太阳能充电控制器:输入三块36V板串联(开路108V),输出14.4V/2A给12V磷酸铁锂电池充电,或输出28.8V/1.5A给24V电池组。恒流恒压实现三段式充电。

高压LED恒流驱动:输入110V,配置恒流模式输出1.5A-2A,驱动多颗串联LED(总压降低于输入)。例如驱动30颗3V LED(90V),功率约135W(2A时),内置2.5A MOS留有余量。

POE++受电设备:输入44-57V,输出5V/2.5A或12V/2A,功率可达24W,满足大功率IP摄像头、无线AP、视频电话等需求。

电动车仪表盘与灯光:84V输入,输出5V/2A供仪表盘、GPS、USB充电口,或输出12V/1.5A供LED大灯。

逆变器辅助电源:适用于120V以下直流母线,输出15V/1.5A给驱动电路,或输出5V/2A给控制板。

工业传感器供电:110V转24V/1.5A给老式传感器、PLC扩展模块供电。

BMS辅助电源:72V-84V电池组中,输出5V/1A给电池管理系统MCU,2.5A能力可额外给通信模块供电。

总结:Hi9103是Hi910X系列中耐压最高(150V)且电流能力较大(2.5A)的内置MOS型号,适合输入电压极高、输出功率15-30W的场景。如需更大电流(4A)但耐压60V可选Hi9102,如需100V/3A可选Hi9101,如需10A外置MOS可选Hi9100。

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