痛点
• 数据中心 48 V 机架散热,要求风扇 500 W/m³ 功率密度,MOSFET 占板面积 < 30 mm²,Rdson 高 0.1 mΩ 就多 1 W 热,噪音+2 dB。
• 24 V 电池瞬态 40 V,BVDSS 余量不足直接击穿。
矽普器件
张小明
前端开发工程师
痛点
• 数据中心 48 V 机架散热,要求风扇 500 W/m³ 功率密度,MOSFET 占板面积 < 30 mm²,Rdson 高 0.1 mΩ 就多 1 W 热,噪音+2 dB。
• 24 V 电池瞬态 40 V,BVDSS 余量不足直接击穿。
矽普器件
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