保护机制
误差校正码Error Correcting Code
ECC可以防止存储在内存中的数据出现错误，提高系统的功能安全性，避免因读取错误的数据而导致错误。ECC的主要影响是在易失性存储器（RAM）中，其中技术的小型化导致更高的位翻转风险
保护数据信息免受单个或多个比特错误的已知技术。
在高可靠和安全的系统中，强烈推荐的内存保护措施之一。
ECC保护算法：
•单错误纠正（SEC：Single-error-correcting）汉明码
•单错误校正-双错误检测（SEC-DED：Single-error-correcting-double-error-detecting）修改的汉明码
•SEC-DED Hsiao代码
所有这些算法都是基于用所谓的校验位扩展信息位的原理，这样接收时的比特错误在一个比特错误的情况下被识别和纠正，或者在两个错误的情况下被检测出来。
所有SPC5X mcu均支持Flash和RAM HW ECC保护机制，不支持屏蔽
建议在所有应用程序中实现ECC错误管理SW流程，特别是对于需要反复擦除和重新编程Flash的Bootloader/OTA/EEPROM仿真开发以及与安全相关的应用程序。
SPC56内存ECC保护
SPC56实现ECC机制的所有存储器，RAM，Code flash和data flash
每个内存都有自己的ECC块，每次写访问时计算奇偶校验位，每次读访问时检查数据有效性，如果需要，会自动进行1位校正
解码结果由ECC模块报告，并在ECSM模块中收集，并在Flash模块中并行收集Flash ECC错误。
RAM ECC实现
SRAM数据在32位的边界上保护，有7个校验位。这意味着在写访问时存储39位，在读访问时检查。
在对8位和16位数据进行写入操作期间，在合并写入数据之前，将检查对32位数据的读取是否存在ECC。
SRAM初始化
有必要在上电或破坏性复位后第一次使用之前初始化RAM，因为要为ECC寄存器设置新值！（主要是通过Startup代码）
内部SRAM的复位状态是随机的，因此数据和校验位可以包含任何数据。最可能的是，第一次读尝试任何地址将产生不可纠正的ECC错误。因此，SRAM必须在上电后初始化。
通常，这意味着整个SRAM被删除或写入任何值，但必须是32位写入，才能完全定义数据单元的ECC代码。否则，较小的写访问将导致读取-修改-写入，并产生另一个ECC错误。
内部SRAM没有寄存器。SRAM ECC的寄存器位于ECSM中。
Flash ECC实现
flash在64位的边界上有8个校验位。
由于闪存的特性，擦除的时候只能从1变成0，每次编程都是整个64位。
用不同的值对同一个word进行重编程，可能导致ECC校验位模式不同，从而导致重编程错误。
每个Flash模块包含状态位，反映每次读访问的ECC检查结果。ECC硬件在出现ECC错误时设置这些位。
ECC错误硬件异常
两种由SPC56 MCU硬件产生的ECC故障通知：ECSM模块中断和内核异常事件
1个位错误自动纠正，透明的应用程序
在1位和2位两种ECC故障情况下都可以产生ECSM模块中断，并进一步区分RAM和Flash
可以为FLASH和SRAM启用错误报告详细信息：启用报告将生成一个中断请求到INTC，如果该INTC请求的优先级为0，则不必处理该请求
ECSM模块生成的所有中断都是可配置的，并且可以由用户在ECR寄存器中屏蔽
ECSM模块
Error correction status module纠错状态模块
ECSM的一部分专门用于收集由存储器和底层总线系统报告的ECC信息
它提供了一组寄存器来存储由状态寄存器ESR发出的最后一次ECC故障的扩展信息。
ECSM模块区分RAM和flash，其中代码和数据闪存合并并作为一个Flash ECC故障发出信号。
代码分析从哪个内存的故障来必须使用FEAR寄存器存储地址，并将其绑定到正确的flash区域。
ECSM中断生成
单比特中断不会产生核心异常，它们可以被启用的ECSM中断捕获。
在指令获取或数据读取期间发生的不可纠正的ECC错误会导致内核异常的产生，因为Z0内核和给定内存目标之间的总线事务错误。
内核异常事件不能被掩盖，应该妥善处理以解决问题。
根据内存访问类型，指令获取或数据获取，以及机器状态寄存器MSR的配置。
异常流程
应该在IVOR2、IVOR3和IVOR1异常向量上放置适当的软件处理程序。
内核将几个不同的异常原因混合到一个向量上，因此软件处理程序必须首先找到中断的原因。
IVOR1意味着系统几乎不可能恢复，系统应该安全终止。
手动触发ECC错误
ECSM_EEGR寄存器用于在ECC内存中强制生成单位和双位数据反转，最值得注意的是用于测试目的的sram，以检查ECC保护。
MEMU
MEMU：Memory Error Management Unit内存错误管理单元
MEMU负责收集和报告与ECC逻辑相关的错误事件：
•系统flash
•外围系统RAM
•code flash
常见问题
常见的导致ECC错误的原因
1、MCU上电或者破坏性reset之后，直接对没有初始化过的SRAM空间进行读访问，或者执行小于32bit/64bit的写操作。
2、在两次擦除之间，向同一个Flash地址写入两次不同的值。（怀疑最大可能是这个原因，需要写入）
3、在Flash program或者Flash erase过程中突然断电或异常终止。
4、电磁辐射
ECC错误的现象以及判断方法
对RAM或者Flash执行读操作后，代码跑飞，MCU进入IVOR2/IVOR1/IVOR3内核异常，或者MCU异常复位。
判断方式：调试时可以在IVORx异常处理入口加断点，查看SPC56 ECSM相关寄存器的值（ESR/FEAR/FEDR/REAR/REDR）或者SPC58 MEMU模块寄存器，或者查看Flash模块寄存器的状态值（MCR/ADR）,以及查看内核寄存器的状态值（ESR/DEAR）。具体寄存器的含义，请查看MCU的参考手册（例如SPC560B RM）以及内核的参考手册（例如e200z0RM）。通过查看这些寄存器的值，可以判断是否产生了ECC错误，以及访问什么地址的时候触发了ECC错误。
一般情况下，对SRAM进行重新写入即可以修复SRAM ECC错误。对Flash进行擦除也可以修复ECC错误，或者不再去读内容被破坏的内存，也可以规避掉ECC错误的产生。采用何种方式取决于用户的系统需求。
ECC是Memory的一种保护机制，用来校验内存数据完整性和一致性的安全机制。产生了ECC错误并不代表Flash/RAM内存的物理损坏。
